无线电电子学论文_SIP外壳内受X射线激发的电磁

文章目录

1 Introduction

2 Theory and calculation method

2.1 Photoelectron yield of different materials

2.2 Radiation source for EMI environment

3 Computation result

3.1 Photoelectron yield

3.2 Sampling point and sampling surface

3.3 EMI environment in shell of SIP

3.4 Influence of X-ray fluence

3.5 Influence of SIP size

4 Conclusion

文章摘要:本文估算了系统级封装（SIP）外壳内,受脉冲X射线辐照产生的电磁干扰（EMI）环境。首先通过蒙特卡罗数值方法计算了可伐合金及印制电路板（PCB）表面受X射线辐照激发电子的产额和能谱,并基于该计算结果开展了电子自洽运动的数值模拟。利用时域有限差分法（FDTD）和粒子模拟技术（PIC）对电子产生电磁场的过程进行了仿真。计算结果表明,电子的运动使得电子发射面附近的EMI环境最强。此外,从频谱可看出,电磁干扰主要集中在低频部分,且频率取决于X射线的时间参数。通过减小SIP外壳的受辐照面积及高度可降低外壳内的EMI环境强度。

文章关键词:

论文分类号:TN03

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