材料科学论文_利用紫外光浸泡效应提升Cs_2AgB

文章摘要:目前已报道的Cs₂AgBiBr₆光电探测器的响应速度在毫秒到纳秒量级宽度区间变化,随机性强,但原因尚不明确,新的响应速度调控方法也鲜有报道.此外,在传统观念中,紫外光通常被认为对钙钛矿器件存在有害作用,会使器件性能衰减.在本工作中,我们证明了在不减小器件面积的情况下,FTO/Cs₂AgBiBr₆/Au结构光电探测器的响应速度可以利用紫外光浸泡效应实现有效调控.特别是下降时间可以从30.1μs有效调控到340 ns,且器件的-3 dB带宽可从5 kHz扩展至20 kHz.值得一提的是,紫外光浸泡处理后,器件光电流显著提升了15倍.此外,我们还进一步证明了紫外光浸泡处理方法对FTO/TiO₂/Cs₂AgBiBr₆/Au、FTO/Cs₂AgBiBr₆/TiO₂/Au和FTO/TiO₂/Cs₂AgBiBr₆/CuSCN/Au结构的Cs₂AgBiBr₆基器件同样有效.本工作为提高Cs₂AgBiBr₆全无机钙钛矿光电探测器响应速度和光电流提供了新的方法和思路.

文章关键词:UV light,all-inorganic perovskite photodetectors,Cs₂AgBiBr₆,photocurrent,response speed,

项目基金:supported by the National Natural Science Foundation of China (51772135 and 52002148),the Fundamental Research Funds for the Central Universities (11619103),the Ministry of Education of China (6141A02022516)；

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